特許
J-GLOBAL ID：200903075753959780
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147885
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331082
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 p型導電層中における非発光再結合中心となる欠陥種の生成を抑制することにより、発光効率を高くすると共に劣化を遅くすることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型のGaAs基板1の上にII-VI族化合物半導体によりそれぞれ形成されたn型クラッド層2,ガイド層3,活性層4,ガイド層5およびp型クラッド層6を順次積層する。n型クラッド層2には塩素等のn型不純物を添加する。p型クラッド層6にはp型不純物として窒素を添加すると共に、n型不純物である塩素もp型不純物に比べて少量添加する。これによりp型クラッド層6において、非発光再結合中心となる欠陥種の生成が抑制される。
請求項（抜粋）：
活性層を挟んでp型導電層およびn型導電層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記p型導電層の少なくとも一部にn型不純物が添加されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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