特許
J-GLOBAL ID：200903075757336478
結晶欠陥検出装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312844
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140488
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】半導体基板の厚さ10μm 程度の表面層中の微小結晶欠陥(BMD)の評価方法には、基板を劈開、エッチングして光学顕微鏡でエッチピットを検出する方法や、基板面に赤外レーザーを入射し、BMDからの90度散乱光によりその密度等を検出する方法があるが、これらの方法は、破壊検査であったり、試料表面で散乱する光が大きすぎてBMDからの散乱光がマスクされ評価ができなかったりする。前記表面層中のBMD分布等を非破壊で精度良く評価できる装置が強く望まれている。【構成】本発明の装置は、被検試料の載置台の側面に適当な傾斜をつけ、欠陥検出用光線をこの傾斜面から入射し、載置台内を通り、被検試料の載置面をよぎり、該試料内部から上部内面に照射し、全反射させる。その際、被検試料の表面層内を該表面に沿って走る反射光を利用し、BMDからの90°散乱光を受光し、表面層中のBMDの評価を非破壊で行う。
請求項（抜粋）：
(a )半導体から成る被検試料を載置する第1の面と、第1の面と挟角ψを持つ面であって、欠陥検出用光線を入射する第2の面とを有し、かつ該検出用光線に対する屈折率がn0 の媒質からなる試料載置台と、(b )第2の面に入射され、前記試料載置台内を通り、第1の面から出て前記被検試料内を進行し、前記載置面と反対側の被検試料の上部内面にあたって全反射する結晶欠陥検出用光線を形成する手段と、(c )被検試料の前記内面をよぎり外方に散乱する前記検出用光線を検出する手段とを、具備することを特徴とする結晶欠陥検出装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 21/00
, G01N 21/88
