特許

J-GLOBAL ID：200903075759131555

薄膜トランジスタ

発明者： 浅井 市郎 ,  加藤 典司 ,  山田 高幸
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350250
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177386
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 poly-SiTFTの作製プロセスにおいてTFT部分に悪影響を与えずに、TFTの放熱効率を増加させることが可能な薄膜トランジスタを得る。【構成】 絶縁性(ガラス)基板11上に形成されたポリシリコン薄膜を動作層14として用いる薄膜トランジスタ(poly-SiTFT)において、poly-SiTFTの作製プロセスでTFT部分に悪影響を与えないようにするため、TFT形成後に放熱層30(44)を積層する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上または絶縁膜上に形成されたポリシリコン薄膜を動作層として用いる薄膜トランジスタ(poly-SiTFT)において、TFT形成後に積層される放熱層を具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-133036
  
• 特開平3-295267