特許

J-GLOBAL ID：200903075761381399

誘電体磁器及び積層型電子部品並びに積層型電子部品の製法

発明者： 伊東 裕見子 ,  神垣 耕世
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-229696
公開番号（公開出願番号）：特開2003-040671
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が大きく、かつ比誘電率の温度特性、DCバイアス特性が良好で、薄層化しても誘電体磁器の絶縁破壊電圧を向上できる誘電体磁器、及び高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さく信頼性にすぐれた積層型電子部品並びに積層型電子部品の製法を提供する。【解決手段】BCT型結晶粒子と、BT型結晶粒子とを有し、Mg及び希土類元素とを含有する誘電体磁器であって、BT型結晶粒子表面に、アルカリ土類元素、希土類元素及びSiを含有する複合酸化物からなる被覆層が形成されている。

請求項（抜粋）：

Aサイトの一部がCaで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCT型結晶粒子)と、置換Caを含有していないペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BT型結晶粒子)とを有する誘電体磁器であって、前記BT型結晶粒子表面に、アルカリ土類元素、希土類元素及びSiを含有する複合酸化物からなる被覆層が形成されていることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (4件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364

FI (4件)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364

Fターム (42件)：

4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031CA05 ,  4G031CA08 ,  4G031GA03 ,  4G031GA04 ,  4G031GA06 ,  4G031GA09 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  4G031GA17 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB20 ,  5G303BA06 ,  5G303BA11 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303DA05 ,  5G303DA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-048556   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 積層セラミックコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227202   出願人：株式会社村田製作所
• 1次元チャネルトランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-233344   出願人：株式会社日立製作所
• 誘電体磁器組成物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-334106   出願人：株式会社村田製作所