特許

J-GLOBAL ID：200903075762010033

MOSゲートを備える半導体装置

発明者： 梅川 真一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-096394
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310729
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 電子線照射後の熱処理により、しきい値電圧Vthが十分に回復し、その後も経時的にしきい値電圧Vthの変動がなく、信頼性の高いMOSゲートを備える半導体装置を提供する点。【構成】 MOSゲートを備える半導体装置においては、バリア金属であるチタンなどの金属層が、ソース拡散層とベース拡散層にまたがって形成しているが、本発明では、半導体基板と配線層が接触する箇所には設けるが、それ以外のシリコンと接触しない部分には設置しない手法を採った。このために、電子線照射後の熱処理により、しきい値電圧Vthが十分に回復し、その後も経時的にしきい値電圧Vthの変動がなく、信頼性の高いMOSゲートを備える半導体装置が得られるのが特徴である。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板表面から内部に向けて形成する第2導電型の領域と,前記第2導電型の領域内に環状に設ける第1導電型の領域と,前記第1導電型の領域の外周を占めかつこれに連続する第2導電型領域に設けるチャンネル領域と,前記チャンネル領域を覆って形成する絶縁物層と,前記絶縁物層に重ねて配置するゲート電極と,前記ゲート電極を被覆する層間絶縁物層と,前記環状の第1導電型の領域部分及びこれに連続かつ露出する第2導電型の領域の表面部分に積層して配置しかつ、前記層間絶縁物層の側部だけに連続する金属層と、前記金属層に積層して配置する電極層とを具備することを特徴とするMOSゲートを備える半導体装置

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 P