特許

J-GLOBAL ID：200903075763134755

CVD法

発明者： 楠本 淑郎 ,  高桑 一雄 ,  生田 哲也 ,  鈴木 章敏 ,  中山 泉
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200046
公開番号（公開出願番号）：特開平7-238379
出願日： 1986年08月22日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】 (修正有)[目的] 反応ガス流の安定性を外部的に制御することができ、反応成分を基板近傍のみに集中させることにより、優れた再現性、均一性、制御性を得て良質の薄膜を基板上に成長させ得る。[構成] 真空槽10内にヒータ14を備えた基板ホルダー17を配設し、該基板ホルダー17に基板18支持させ、反応性ガスRを上記真空槽10内の上記基板18の表面にほぼ平行にシート状の流れで導入し、かつ上記基板18の表面に対向するように不活性ガスのガス流Qを導入しながら、かつ上記基板18を上記ヒータ14により加熱しながら、上記基板18の表面の近傍に上記不活性ガスのガス流Qにより上記反応性ガスRの層流状態を保持する。

請求項（抜粋）：

反応槽内に加熱手段を備えた基板ホルダーを配設し、該基板ホルダーに基板を支持させ、反応性ガスを前記反応槽内の前記基板の表面にほぼ平行にシート状の流れで導入し、かつ前記基板の表面に対向するように不活性ガスのガス流又は不活性ガスを主体とするガス流を導入しながら、かつ前記基板を前記加熱手段により加熱しながら、前記基板の表面の近傍に前記不活性ガスのガス流又は不活性ガスを主体とするガス流により前記反応性ガスの層流状態を保持するようにしたことを特徴とするCVD法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-053272
  
• 特開昭63-026369
  
• 特開昭63-026368
  
• 特開昭63-007619