特許

J-GLOBAL ID：200903075766264978

突起電極の形成方法

発明者： 田中 章雅 ,  安間 章隆 ,  原 勝男
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290167
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129308
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 高さや形状が一定に揃った突起電極を狭ピッチにおいても確実に形成できる突起電極の形成方法を提供することにある。【構成】 CCD基板10上に、Ti膜15、Au膜16を順に形成する工程と、形成したAu膜16の表面にレジスト膜17を選択的に形成し、突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、Au膜16をメッキ電極として電気メッキを施し、各突起電極の形成予定領域に電極材料11 ́を析出させる工程と、析出した電極材料11 ́を、各形成予定領域内において加熱溶融する工程とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板にメッキ電極用の下地金属膜を形成する工程と、形成した前記下地金属膜の表面にレジスト膜を選択的に形成し、複数の突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、前記レジスト膜を形成した前記下地金属膜の表面に電気メッキを施し、前記各突起電極の形成予定領域に突起電極の電極材料を析出させる工程と、前記各突起電極の形成予定領域内に析出した電極材料を、該形成予定領域内において加熱溶融する工程とを備えることを特徴とする突起電極の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/288 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 27/14 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-059945
  
• 特開平1-122141