特許

J-GLOBAL ID：200903075769213304

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐藤 健二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 古溝 聡 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108766
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299381
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 フューズ溶断時に発生するダメージを最小限に抑える。【解決手段】 下層保護膜13は、基板11上に形成された酸化膜12上に形成され、フューズ15よりも広い幅を有し、フューズ15の溶断時に発生するダメージの広がりを遮断する。第1絶縁膜14は、下層保護膜13を覆うように酸化膜12上に形成され、下層保護膜13に至り、フューズ15を囲むように形成された2つの溝を有する。フューズ15は、第1絶縁膜14に形成された2つの溝の間に形成されている。第2絶縁膜16は、フューズ15を覆うように第1絶縁膜14上に形成され、第1絶縁膜14の溝につながる溝を有する。側面保護膜17は、第1絶縁膜14及び第2絶縁膜16の溝内に形成され、フューズ15の溶断時に発生するダメージの広がりを遮断する。

請求項（抜粋）：

回路を他の回路から分離するためのフューズを備える半導体装置であって、基板上の所定領域に形成され、フューズよりも広い幅を有し、フューズを溶断する際に発生する熱(フューズ溶断熱)によって生じる損傷の広がりを遮断する下層保護膜と、前記下層保護膜上に形成されたフューズと、前記フューズを覆うように前記下層保護膜上に形成され、該下層保護膜に至り、該フューズを囲むように形成された溝を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の溝内に形成され、フューズ溶断熱によって生じる損傷の広がりを遮断する側面保護膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。

Fターム (4件)：

5F064FF27 ,  5F064FF33 ,  5F064FF34 ,  5F064FF42