特許

J-GLOBAL ID：200903075770898582

基板処理装置

発明者： 浅井 優幸
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197613
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 ガスの混入による液体原料の供給量の変動を防止する。【解決手段】 液体原料31を貯溜するタンク32と、液体原料を気化させる気化器21と、液体原料をタンク32から気化器21へ供給する液体原料供給配管35と、液体原料を気化させてなる原料ガス51を気化器21からウエハ1に成膜する処理室11へ供給するガス供給配管20を有するMOCVD装置10において、タンク32が気化器21よりも高い位置に配置されており、液体原料供給配管35は液体原料取入口36が最も高い位置になるように構成されている。【効果】 液体原料供給配管中で発生した気泡は液体原料供給配管の頂上の取入口からタンク内へ放出されるため、気泡の混入による液体原料の供給量の変動の発生を防止でき、MOCVD装置の膜厚の再現性を向上できる。

請求項（抜粋）：

液体原料を貯溜するタンクと、前記液体原料を気化する気化器と、前記液体原料を前記タンクから前記気化器へ供給する液体原料供給配管と、前記液体原料を気化したガスを前記気化器から基板を処理する処理室へ供給するガス供給配管とを備えている基板処理装置であって、前記タンクが前記気化器よりも高い位置に配置されており、前記液体原料供給配管は前記液体原料の取入口が最も高い位置になるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/448

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/448

Fターム (23件)：

4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB01 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EC08 ,  5F045EE02 ,  5F045EE03 ,  5F045EE04 ,  5F045EF05