特許
J-GLOBAL ID：200903075774023408
誘電体薄膜の製造方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063118
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267570
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 特定のペロブスカイト型複合化合物に対し、酸化物または複合酸化物をターゲットとしてパルスレーザ光を照射して蒸発させ、同じくレーザ光を照射した基板上に被膜を堆積させることにより、ペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を組成制御性良く低温で合成する。【構成】 主たる堆積機構として、エキシマ・レーザなどのパルスレーザ1をターゲット3に照射することによりレーザ蒸着を用い、アシスト光源6およびアシストイオン源7による、アシストを行いながら、基板4上に誘電体薄膜を堆積させる。
請求項（抜粋）：
ABO3 で構成されるペロブスカイト型複合化合物に対し、AサイトおよびBサイトの元素の酸化物または複合酸化物をターゲットとしてパルスレーザ光を照射して蒸発させ、同じくレーザ光を照射した基板上に被膜を堆積させることを特徴とするとする誘電体薄膜の製造方法。(ここで、Aサイトは、Pb、Ba、SrまたはLaの少なくとも1種、Bサイトは、TiおよびZrのうち少なくとも1種の元素を含む。)
IPC (3件)：
H01L 27/04
, C23C 14/08
, C23C 14/28
