特許
J-GLOBAL ID：200903075777015880

半導体装置およびその製造方法

発明者：
岡田 正剛

岡田 正剛 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-392750
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198610
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】【課題】 レーザチップの熱破壊を阻止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 表面に絶縁膜4を有するシリコンサブマウントフォトダイオードチップ11上に、赤色レーザダイオード13がダイボンドされている。赤色レーザダイオード13の後面13bから出射された光をシリコンサブマウントフォトダイオードチップ11で受光することにより、赤色レーザダイオード13の前面13aから出射される光の出力をモニターする。シリコンサブマウントフォトダイオードチップ11の絶縁膜4には、赤色レーザダイオード13をシリコンサブマウントフォトダイオードチップ11にダイボンドする電極12の下に位置する穴14を設けている。
請求項（抜粋）：
表面に絶縁膜を有するフォトダイオードと、このフォトダイオード上にダイボンドされたレーザチップとを備え、上記レーザチップの後面から出射された光を上記フォトダイオードで受光することにより、上記レーザチップの前面から出射される光の出力をモニターする半導体装置において、上記フォトダイオードチップの絶縁膜に、上記レーザチップを上記フォトダイオードチップにダイボンドする電極の下に位置する穴を設けていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 5/0683 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/022
FI (3件)：
H01S 5/0683 ,  H01S 5/022 ,  H01L 31/10 A
Fターム (13件)：
5F049MB03 ,  5F049NB08 ,  5F049PA09 ,  5F049QA04 ,  5F049SS02 ,  5F049WA03 ,  5F073BA05 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073EA28 ,  5F073FA02 ,  5F073FA13 ,  5F073FA22
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開昭59-094891
  • 特開昭54-074688
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-094891
  • 特開昭54-074688

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