半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081382
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275137
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】セルフアラインコンタクトにおいて、素子を直接覆う絶縁膜がエッチングされておらず、配線層との耐圧が十分に確保され、また、ホットキャリア耐性にも優れている半導体装置、及び該半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板10上に対向して配置された素子の電極31、31を直接被覆するオフセット絶縁膜21とサイドウオール22とこれらの素子間の基板とをエッチングストッパー膜24で覆い、更にこれらの素子を層間絶縁膜23で覆い、層間絶縁膜23にスルーホールを形成する。このスルーホール形成時のエッチングは、素子を覆うエッチングストッパー膜24で停止させる。そして、露出したエッチングストッパー膜24を除去する。

請求項（抜粋）：

基板に互いに離間して対向する素子が形成され、この素子の電極が、上側を被覆する第1絶縁膜と側壁を被覆する第2絶縁膜とで被覆され、これらの素子間の基板に配線層が自己整合的に接続されてなる半導体装置であって、上記第1絶縁膜及び第2絶縁膜と、上記素子を埋める層間絶縁膜としての第3絶縁膜との間に、上記配線層が基板と接続する近傍を除いて、該第3絶縁膜とエッチング比が異なるエッチングストッパー膜が介在することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 L , H01L 21/90 D , H01L 21/90 M , H01L 29/78 301 X

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