特許

J-GLOBAL ID：200903075782270171

照度均一性測定方法

発明者： 佐藤 健志
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274996
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097760
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 レジストパターンの膜厚の測定により、露光装置光学系全体の反射光分布を測定し、照度測定器による測定結果を合わせて、本来の露光状態での照度均一性が得られるようにする照度均一性測定方法を提供する。【解決手段】 基板上にレジスト層を形成したのち、露光サイズ全面に非遮光パターン12と遮光パターン13を市松状に並べて配列して構成した専用テストマスク11を用いて基板を露光する第一のステップと、前記基板を現像し前記専用テストマスクのパターンを基板上へレジストパターンとして転写形成する第二のステップと、前記レジストパターンの膜厚を、転写形成した露光チップ領域内において測定し、その膜厚の減少及び均一性から前記露光チップ領域内の照度均一性を算出する第三のステップとで露光装置の照度均一性測定方法を構成する。

請求項（抜粋）：

基板上にマスクパターンを露光する装置の前記基板上における照度均一性を測定する方法において、前記基板上にレジスト層を形成したのち、予め透過領域と遮光領域を調整した測定用専用マスクを用いて前記基板を露光する第一のステップと、前記基板を現像し、前記専用マスクのマスクパターンを基板上へレジストパターンとして転写形成する第二のステップと、前記レジストパターンの膜厚を、該レジストパターンを転写形成した露光チップ領域内において測定し、その膜厚の減少及び均一性から前記露光チップ領域内の照度均一性を算出する第三のステップとを含むことを特徴とする照度均一性測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 516 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 G