特許

J-GLOBAL ID：200903075790696960

半導体装置

発明者： 井上 智広 ,  高見 茂成
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-063316
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254625
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 ワイヤボンディング部の信頼性の向上を図る。【構成】 圧力センサチップ5上に形成されたチップ側電極11とセラミック回路基板7上に形成された基板側電極11をボンディングワイヤ13を介して接続する半導体装置において、チップ側電極12をAlで構成し、基板側電極11をAuPtで構成すると共に、ボンディングワイヤ13をAlで構成した。【効果】 高温環境下においても金属間化合物が生成されないためワイヤボンディング部の接合劣化を防止することができ信頼性向上及び長寿命化が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上に形成されたチップ側電極と基板上に形成された基板側電極をボンディングワイヤを介して接続する半導体装置において、前期チップ側電極をAlで構成し、前期基板側電極をAuPtで構成すると共に、前期ボンディングワイヤをAlで構成することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-232440
  
• 特開昭58-027330