特許

J-GLOBAL ID：200903075794739361

高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  原田 裕次
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037403
公開番号（公開出願番号）：特開2001-226432
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つはフッ素原子を含む。R4は少なくとも1つの珪素原子を含む珪素含有基である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下特には170nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つはフッ素原子を含む。R4は少なくとも1つの珪素原子を含む珪素含有基である。)

IPC (4件)：

C08F 30/08 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C08F 30/08 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (46件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF07 ,  2H025BF09 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA41 ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA72P ,  4J100BA72Q ,  4J100BA80P ,  4J100BA81P ,  4J100BA82P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC22Q ,  4J100BC23Q ,  4J100BC51P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC60Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-250888
  
• 特開昭63-095207
  
• ハロゲン含有アクリル系モノマーの重合方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015348   出願人：ダイキン工業株式会社
• 特開平3-217845