特許

J-GLOBAL ID：200903075795468264

ドライエッチング方法とそれに使用する装置

発明者： 小林 雅哉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271329
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120177
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の構成部材であるSiO2 膜をエッチングする工程に用いられるドライエッチング方法とそれに用いる装置に関し、エッチングの終点を検出するためにプラズマの発光スペクトルを観測するための光透過窓の上にフロロカーボン重合膜が堆積して透過度が劣化するのを防ぐ方法と装置を提供する。【構成】 CF4 とH2 のような少なくともCとFとHを含む処理ガスを用いてドライエッチする工程において、この処理ガスをドライエッチング装置の観測用光透過窓に吹きつけながらエッチングを行う。また、CF4 とH2 のような少なくともCとFとHを含む処理ガスを用いるドライエッチング装置において、この処理ガスをドライエッチング装置の観測用光透過窓(12)に吹きつけるように処理ガス導入口(10)を形成する。この場合、処理ガス導入口を被処理基板(7)の中心に対して点対称に2つ以上設けることができる。

請求項（抜粋）：

少なくともCとFとHを含む処理ガスを用いてドライエッチングする工程において、該処理ガスをドライエッチング装置の観測用光透過窓に吹きつけながらエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。