半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067623
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260434
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の動作時に半導体素子から発っする熱によって発生するパッケージ及びプリント基板の熱膨張を緩和し、パッケージ及びプリント基板の歪み、及び半田ボールのクラックを軽減して、熱サイクルに対する信頼性が高く寿命の長い半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体素子1を封止したパッケージ2の底面部及びプリント基板5の上面の配線に影響がない領域に溝3,6を複数個形成し、パッケージ2の電極部7に半田ボール4を形成してプリント基板5に実装する。また、溝3,6はパッケージ2とプリント基板5のいずれかのみに形成してもよい。また、溝3,6にパッケージ2あるいはプリント基板5と材料の異なる物質を充填してもよい。

請求項（抜粋）：

半導体素子を封止し底面部に溝及び前記半導体素子と電気的に接続された第1の電極部を有するパッケージと、このパッケージを実装し上面部に第2の電極部を有するプリント基板と、前記第1の電極部と前記第2の電極部とを電気的に接続する半田ボールとを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 L

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