特許

J-GLOBAL ID：200903075800120557

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

発明者： 北村 厚 ,  石川 寿光
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-241441
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107178
出願日： 1994年10月05日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】 一層の高密度化、高集積化、小型化及び薄型化を図ることが可能な樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供することである。【構成】 半導体素子と、電極を兼ね前記半導体素子を接着部材で下面に固定するリードと、該リードと前記半導体素子上の電極とを接合するワイヤとを備え、前記リードの一部を外部に引き出す形で前記半導体素子を含む全体を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子とは別の半導体素子を前記リードの上面に接着部材で固定し、この半導体素子の電極と前記リードをワイヤで接合したものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、電極を兼ね前記半導体素子を接着部材で下面に固定するリードと、該リードと前記半導体素子上の電極とを接合するワイヤとを備え、前記リードの一部を外部に引き出す形で前記半導体素子を含む全体を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子とは別の半導体素子を前記リードの上面に接着部材で固定し、この半導体素子の電極と前記リードをワイヤで接合したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 23/28