特許

J-GLOBAL ID：200903075807559678

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 池 田 勝 己 ,  石 川 通 弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  岩手東芝エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059060
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260972
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオードの最大蓄積電荷量を維持しつつ、過大な入射光に応じて発生する過剰電荷によるブルーミングを抑制し得る固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面部にマトリクスをなすように形成され、入射光に応じた蓄積電荷を発生させるフォトダイオード15と、上記マトリクスの列内で隣接するフォトダイオード15間の素子分離領域に形成され、フォトダイオード15を相互に素子分離するP+不純物拡散層6と、上記マトリクスの列間に形成され、蓄積電荷を転送する転送チャネルと、半導体基板1上に形成された電極7,8とを備えた固体撮像装置20において、素子分離領域ではp不純物拡散層6の直下でこれに接するように形成され、フォトダイオード15の領域ではその下方により深く形成された薄いウェル2を備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面部にマトリクスをなすように形成され、入射光に応じた蓄積電荷を発生させる光電変換部と、前記光電変換部間の素子分離領域に形成され前記光電変換部を列方向に相互に素子分離する第1の不純物拡散層と、前記マトリックスの列の間に形成され、前記光電変換部から読出された前記蓄積電荷を前記列方向に転送する転送チャネルと、前記光電変換部間の素子分離領域では前記第1の不純物拡散層の直下に第1の深さで形成され、前記光電変換部の領域ではその下方に前記第1の深さよりも深い第2の深さで形成され、前記光電変換部で発生した過剰電荷をその外部へ排出する第2の不純物拡散層と、を備えた固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/266

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/265 M

Fターム (15件)：

4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA06 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35