特許

J-GLOBAL ID：200903075814257040

シリコン半導体受光素子とその作製方法

発明者： 木村 浩也
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084628
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251725
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 シリコンはバンドギャップが1.1eVであるから、シリコン半導体を用いた受光素子は、赤外領域に最高の感度を持つ。可視光には低い感度しかもたない。バンドギャップの狭さによる制限をなくして、可視光にも高い感度をもつようにしたシリコン半導体受光素子を提供すること。【構成】 フッ酸中でシリコンを陽極酸化する。陽極酸化によって面と垂直方向に多数の穴が成長してゆく。穴のためにシリコンが柱状に分断され2次元的に電子が閉じ込められる。このためにシリコンのバンドギャップが実効的に拡がる。感度が可視光領域の方向に伸びる。電流の流れは面と垂直方向でありこの方向に対しては抵抗が高くならないので電子移動度は低下しない。高速性を損なうことなく、より短波長域に向かって感度のある領域を広げることができる。

請求項（抜粋）：

p領域、n領域、i領域、pn接合を有するシリコン半導体層と、該p領域と該n領域にオ-ミック接続される電極と、かつpn接合に光を導くための受光部を設けた受光素子であって、シリコン半導体層の表面が陽極酸化して多孔質化されたものであることを特徴とするシリコン半導体受光素子。