保護化2’-デオキシシチジン誘導体の製造法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-360233
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160597
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】【課題】従来技術における、廃溶媒が大量に生じるカラムクロマトグラフィー精製や混合溶媒の使用あるいは収率の低下といった、工業的製法としての実用面での欠点を解消し、供給量に制限のない、効率的な保護化2’-デオキシシチジン誘導体の製造方法を提供する。【解決手段】反応収率が低下しない反応条件を用いた場合でも副生物を効率的に除去できる精製工程を有することを特徴とする簡便な製造方法を提供する。【効果】廃溶媒を大量に生じるカラムクロマトグラフィーによる精製や混合溶媒の使用を避けて工程を簡略化し、工業的製法としての実用面での欠点を解消して、供給量に制限のない、効率的な保護化2’-デオキシシチジン誘導体の製造方法が提供される。

請求項（抜粋）：

以下の(1)、(2)の工程を含むことを特徴とする一般式〔4〕(化1)【化1】(式中、Rは、水素原子またはメチル基を表す。)で表される保護化2’-デオキシシチジン誘導体の製造方法。(1)一般式〔1〕(化2)【化2】(式中、Rは前記と同様。)で表されるベンゾイル2’-デオキシシチジン誘導体を、一般式〔2〕(化3)【化3】(式中、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子を表す。)で表されるトリチルハライドと反応溶媒中で反応させて反応混合物を得る反応工程、(2)上記(1)で得られた反応混合物に水および一般式〔3〕(化4)【化4】(式中、R1は炭素数1から5の低級アルキル基を表し、R2は炭素数3から5の低級アルキル基を表す。)で表される置換ベンゼンを添加して2層分離させた後、置換ベンゼン層を除くことにより置換ベンゼン層に溶解した副生成物を除去する精製工程。

Fターム (9件)：

4C057AA03 , 4C057AA04 , 4C057AA09 , 4C057AA18 , 4C057BB02 , 4C057BB05 , 4C057DD01 , 4C057LL17 , 4C057LL19

前のページに戻る