特許

J-GLOBAL ID：200903075834318763

半導体装置及びその製造方法

発明者： 溝上 繁男
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-173374
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026506
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体ペレットと配線基板とを、バンプ電極とパッド電極とを衝合させて接着用樹脂で接着した半導体装置は、各電極間に樹脂を巻き込み電気的接続を損なうことがあった。また半導体ペレットと配線基板とを接続して後、接着用樹脂にて接着するものでは気泡を生じやすく、製造が煩雑であった。【解決手段】 異径バンプ電極11を形成した半導体ペレット10と、パッド電極8で囲まれる領域に接着用樹脂9を供給した配線基板5とを、バンプ電極11の先端とパッド電極8とを衝合させて対向させ、バンプ電極11の先端の径小部11bを圧潰して膨出させかつ接着用樹脂9を半導体ペレット10の外周まではみ出させて半導体ペレット10と配線基板5とを接着したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の所定位置に基部が径大で先端側が径小の異径バンプ電極を形成した半導体ペレットと、絶縁基板上に半導体ペレットのバンプ電極と対応してパッド電極を形成しこのパッド電極で囲まれる領域に接着用樹脂を供給した配線基板とを、バンプ電極の先端とパッド電極とを衝合させて対向させ、バンプ電極の径小部を圧潰して膨出させかつ接着用樹脂を半導体ペレットの外周まではみ出させて半導体ペレットと配線基板とを接着したことを特徴とする半導体装置。