特許
J-GLOBAL ID：200903075834509402
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031225
公開番号（公開出願番号）：特開平5-250873
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】制御信号が能動レベルにあり、発振周波数が高いときの基板電位を所望の電位に保つと共に消費電流を低減する。【構成】第1のインバータIV3の出力端と第2のインバータIV4の入力端との間に、制御信号RASが能動レベルのときは発振回路1の出力信号OSCを選択して出力し、非能動レベルのときは第1のインバータIV3の出力信号を選択して出力する切換回路3を設ける。切換回路3はトランスファゲートTG1,TG2とインバータIV6とを備えている。
請求項（抜粋）：
制御信号が能動レベルのとき第1の周波数の信号を発生し非能動レベルのとき前記第1の周波数より低い第2の周波数の信号を発生する発振回路と、この発振回路の出力信号を波形整形する第1のインバータと、前記制御信号が能動レベルのときは前記発振回路の出力信号を選択して出力し、非能動レベルのときは前記第1のインバータの出力信号を選択して出力する切換回路と、この切換回路の出力信号を波形整形する第2のインバータと、この第2のインバータの出力信号を直流化して基板電位を発生する基板電位発生部とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
G11C 11/407
, G11C 11/413
, H01L 27/10 481
G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 335 C
