特許

J-GLOBAL ID：200903075839854035

低誘電率プリント回路用積層板

発明者： 上木 正暁 ,  黒川 徳雄
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156487
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008501
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、絶縁層として繊維基材に、(A)予めシアネート基の当量比20〜50%を三量体化したビスフェノールAジシアネート樹脂及び(B)テトラブロモビスフェノールAを必須成分とし、前記(A)成分 100重量部に対して、前記(B)成分10〜35重量部を配合した低誘電率樹脂組成物を塗布含浸・乾燥したプリプレグを用いて、加熱加圧一体に成形してなることを特徴とする低誘電率プリント回路用積層板である。また、この低誘電率プリント回路用積層板に用いる低誘電率樹脂組成物およびこの樹脂を用いた積層板用プリプレグである。【効果】 本発明の低誘電率樹脂組成物は低誘電率、低誘電正接に優れ、これを用いたプリプレグおよび低誘電率プリント回路用積層板は、従来の製造装置で製造することができ、加工性に優れ、低コストで、高速・高周波回路用として好適なものである。

請求項（抜粋）：

絶縁層の少なくとも片面に導電層を設けたプリント回路用積層板において、絶縁層として繊維基材に、(A)予めシアネート基の当量比20〜50%を三量体化したビスフェノールAジシアネート樹脂及び(B)テトラブロモビスフェノールAを必須成分とし、前記(A)のビスフェノールAジシアネート樹脂 100重量部に対して、前記(B)のテトラブロモビスフェノールA10〜35重量部を配合した低誘電率樹脂組成物を塗布含浸・乾燥したプリプレグを用いて、加熱加圧一体に成形してなることを特徴とする低誘電率プリント回路用積層板。

IPC (2件)：

H05K 1/03 ,  B32B 15/08