酸化珪素膜の化学気相成長法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220441
公開番号（公開出願番号）：特開平7-026383
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月27日
要約：

【要約】【目的】取り扱いやすい原料を用いて、低い基板温度で、酸化珪素の膜を容易に合成し得る新たな化学気相成長法を提供する。【構成】テトラキスジエチルアミノシランをシリコン源として用い、これに酸素源としてオゾンを含む酸素ガスを加えることにより、被処理物表面に酸化珪素の膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法による。

請求項（抜粋）：

テトラキスジエチルアミノシランをシリコン源として用い、シリコン源に酸素源を加えることにより、被処理物表面に酸化珪素の膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法。

IPC (3件)：

C23C 16/40 , C23C 16/44 , H01L 21/316

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