半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092746
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310661
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】占有面積を増加させずに、精度が高く変動が少なく、かつ雑音に影響されにくく、しかも高抵抗値の抵抗器を半導体集積回路装置に形成する。【構成】半導体基板の主面上に、凹部或いは凸部を設け、基板に対して垂直方向に凹凸を形成する。この凹凸に沿って、導電層を形成することによって、導電層は、凹部或いは凸部による凹凸によって、垂直方向の変位をもつ。【効果】導電層の垂直方向の層長が増加することと、また、凹部或いは凸部の角部に対応する部分に堆積した導電層の段差被覆性が低下し、他の部分に比べて薄く形成されることによって、抵抗器の抵抗が高くなる。垂直方向の変位を利用するので、占有面積が増加しない。凹部,凸部或いは導電層の形成は、他の工程を利用して行うので、新たな工程を必要としない。

請求項（抜粋）：

導電層を抵抗器として用いる半導体集積回路装置において、半導体基板の主面上に設けた凹部或いは凸部が基板に対して垂直方向に形成する凹凸に沿って、導電層を堆積させることにより、基板に対して垂直方向の変位をもたせて、導電層を形成した抵抗器を有することを特徴とする半導体集積回路装置。

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