特許

J-GLOBAL ID：200903075853005563

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 市川 貴朗
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264429
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084780
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 簡易な回路構成で、より効果的なセキュリティー機能を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 認証データを記憶するOTP領域9と、パスワードを記憶するパスワード領域11と、アドレス信号に含まれるパスワードとパスワード領域11に記憶されたパスワードとが一致するか否かを判定する判定回路1と、判定回路1における判定結果に応じてOTP領域9からのOTPデータの読み出しを制御する出力制御回路12とを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。

請求項（抜粋）：

認証データを記憶する認証データ記憶部と、パスワードを記憶するパスワード記憶部と、アドレス信号に含まれるパスワードと前記パスワード記憶部に記憶されたパスワードとが一致するか否かを判定する判定回路と、判定回路における判定結果に応じて前記認証データ記憶部からの認証データの読み出しを制御する出力制御部とを備えた不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G06F 12/14 310

FI (2件)：

G11C 17/00 601 P ,  G06F 12/14 310 F

Fターム (14件)：

5B017AA01 ,  5B017BA05 ,  5B017BB03 ,  5B017BB10 ,  5B017CA01 ,  5B017CA11 ,  5B017CA16 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD05 ,  5B025AD14 ,  5B025AE10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-233867
  
• 特開平4-074240