特許

J-GLOBAL ID：200903075855911669

層状酸化物の結晶成長方法、有機無機複合結晶の形成方法および積層構造体

発明者： 網 隆明 ,  石田 祐一 ,  長沢 直美 ,  鈴木 真之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-302085
公開番号（公開出願番号）：特開2002-114593
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：

【要約】【課題】 KTiNbO5 等の層状酸化物を汎用性の高い基板上に高精度で高配向させることができる結晶成長方法、そのような高配向の層状酸化物を用いて有機無機複合結晶を形成する方法およびそのような層状酸化物の積層構造体を提供する。【解決手段】 立方晶系または正方晶系の(001)単結晶基板、特に例えばSrTiO3 等の酸化物単結晶基板上に、斜方晶系の層状酸化物、例えばKTiNbO5 の薄膜を高次エピタキシーにより少なくとも部分的にエピタキシャルに成長させる。成長には有機金属熱分解法またはゾルゲル法を用いる。このようにして得られる高配向の層状酸化物、例えばKTiNbO5 の薄膜に水または酸を作用させることにより結晶水和物を形成し、これにさらに有機イオンを作用させることにより有機無機複合結晶を形成する。

請求項（抜粋）：

立方晶系または正方晶系の(001)面方位の単結晶基板上に斜方晶系の層状酸化物を少なくとも部分的にエピタキシャルに成長させるようにしたことを特徴とする層状酸化物の結晶成長方法。

IPC (5件)：

C30B 7/06 ,  C01G 33/00 ,  C30B 29/30 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

C30B 7/06 ,  C01G 33/00 A ,  C30B 29/30 A ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 A

Fターム (15件)：

4G048AA04 ,  4G048AB02 ,  4G048AC01 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE08 ,  4G077AA03 ,  4G077BC31 ,  4G077CB08 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FE03 ,  4G077FE11 ,  4G077HA11