特許

J-GLOBAL ID：200903075876229116

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 鈴木 秀一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-236181
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079690
出願日： 2002年08月14日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】フェイスダウンボンディングにより実装基板に実装する半導体チップの表面に形成されたバンプ電極上の樹脂膜を良好に除去する。【解決手段】半導体ウェハ1上に樹脂膜23および保護材24を順次塗布した後、半導体ウェハ1における保護材24および樹脂膜23が塗布された面を化学機械研磨法による研磨、サンドペーパーなどを用いた手動による研磨、砥石などを用いた機械研磨またはダイヤモンドハイトなどを用いた機械研削などによりバンプ電極22の上面が露出する程度まで研磨または研削する。【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

(a)主面に半導体素子が形成された半導体基板を用意する工程、 (b)前記半導体基板の前記主面上において、前記半導体素子と電気的に接続するバンプ電極を形成する工程、 (c)前記バンプ電極の存在下で前記半導体基板の主面を覆う第1絶縁膜を形成する工程、 (d)前記バンプ電極の上面が現れるまで研磨手段または研削手段により前記第1絶縁膜を表面から除去する工程、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/60 ,  B24B7/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L23/00

FI (7件)：

H01L21/92 604S ,  B24B7/22 Z ,  H01L21/02 A ,  H01L21/304 621B ,  H01L23/00 A ,  H01L21/92 604B ,  H01L21/78 Q

Fターム (1件)：

3C043BA09