荷電粒子ビーム露光装置の調整方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-024224
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177023
出願日： 1993年02月12日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】本発明は荷電粒子ビームを用いた荷電粒子ビーム露光装置の調整方法に関し、調整時間の短縮を図ることを目的とする。【構成】第1の偏向器13及び第2の偏向器14の偏向位相及び偏向量を求め、これより1及び第2の偏向器13,14を同時に駆動した際にクロスオーバー像の偏向能率がゼロとなる偏向差及び偏向量比を求める。続いて、第3の偏向器15及び第4の偏向器16の偏向位相及び偏向量を求め、これより3及び第4の偏向器15,16を同時に駆動した際にクロスオーバー像の偏向能率がゼロとなる偏向差及び偏向量比を求める。続いて、第1乃至第4の偏向器13〜16を駆動し、荷電粒子ビーム3をラウンドアパーチャ20へ最も垂直に入射し、かつ上記偏向位相差及び偏向量比を変えることなく第1及び第2の偏向器13,14と第3及び第4の偏向器15,16との相対角度及び相対強度を求める。

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビーム(3)を発生する荷電粒子ビーム発生手段(1)と、荷電粒子ビーム(3)が通過する位置に配設され、荷電粒子ビーム(3)を整形する多角形整形板(6)と、任意形状を有する透過孔パターン(12)が1個以上形成されている透過孔マスク板(8)と、該荷電粒子ビーム発生手段(1)の配設位置を上部とした場合、該透過孔マスク板(8)を挟んで上下に一対づつ略鏡面対象となるよう配設されており該荷電粒子ビーム(3)を偏向する第1乃至第4の偏向手段(13〜16)と、該第1乃至第4の偏向手段(13〜16)の下部に配設されたラウンドアパーチャ(20)とを有する荷電粒子ビーム露光装置の調整方法であって、該多角形整形板(6)に最も近い位置に配設された第1の偏向手段(13)のみを駆動させ、該第1の偏向手段(13)による該ラウンドアパーチャ(20)上でのクロスオーバー像の偏向位相(θ1)及び偏向量(r1)を求める第1工程と、該第1の偏向手段(13)より下部で該透過孔マスク板(8)より上部に配設された第2の偏向手段(14)のみを駆動させ、該第2の偏向手段(14)による該ラウンドアパーチャ(20)上でのクロスオーバー像の偏向位相(θ2)及び偏向量(r2)を求める第2工程と、該第1及び第2の偏向手段(13,14)を同時に駆動した時、該ラウンドアパーチャ(20)上でのクロスオーバー像の偏向能率をゼロとするような該第1及び第2の偏向手段(13,14)の偏向差(θd1 )及び偏向量比(V1:V2’)を求める第3工程と、該透過孔マスク板(8)の下部位置に配設された第3の偏向手段(15)のみを駆動させ、該第3の偏向手段(15)による該ラウンドアパーチャ(20)上でのクロスオーバー像の偏向位相(θ3)及び偏向量(r4)を求める第4工程と、該第3の偏向手段(15)の下部位置に配設された第4の偏向手段(16)のみを駆動させ、該第4の偏向手段(16)による該ラウンドアパーチャ(20)上でのクロスオーバー像の偏向位相(θ4)及び偏向量(r4)を求める第5工程と、該第3及び第4の偏向手段(15,16)を同時に駆動した時、該ラウンドアパーチャ(20)上でのクロスオーバー像の偏向能率をゼロとするような該第3及び第4の偏向手段(15,16)の偏向差(θd2 )及び偏向量比(V3:V4’)を求める第6工程と、該第1乃至第4の偏向手段(13〜16)を駆動し、該荷電粒子ビーム(3)を該ラウンドアパーチャ(20)へ最も垂直に入射し、かつ上記偏向位相差及び偏向量比を変えることなく該第1及び第2の偏向手段(13,14)と該第3及び第4の偏向手段(15,16)との相対角度(θd3 )を求める第7工程と、上記相対角度を求めた後、該第1乃至第4の偏向手段(13〜16)を駆動し、該荷電粒子ビーム(3)を該ラウンドアパーチャ(20)へ最も垂直に入射し、かつ上記偏向位相差及び偏向量比を変えることなく該第1及び第2の偏向手段(13,14)と該第3及び第4の偏向手段(15,16)との相対強度(G3)を求める第8工程と、該第1乃至第4の偏向手段(13〜16)の相対偏向量及び相対位相差を用いて、該透過孔マスク板(8)上の偏向座標の偏向量及び偏向方向を一致させ該透過孔マスク板(8)上の透過孔パターン(12)を選択する第9工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置の調整方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 506 , G03F 7/20 521

前のページに戻る