特許
J-GLOBAL ID：200903075883507490
結晶欠陥観察装置および方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 辰雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326050
公開番号（公開出願番号）：特開平7-151698
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体結晶表面のごく近傍に存する欠陥のみを、既にデバイスが形成されている場合でも、効率的に観察できる結晶欠陥観察装置を提供する。【構成】 半導体結晶の平らな表面へ向けてその表面の近傍のみ透過するような前記半導体における吸収係数の大きい波長のレーザ光束を照射するレーザ照射手段と、このレーザ光束により前記表面近傍に存する結晶欠陥から生じる散乱光を受光し結像させるとともに半導体結晶表面を可視光で観察するための顕微鏡と、前記半導体結晶を前記顕微鏡の光軸にほぼ垂直な平面内で移動させる移動手段とを具備する。
請求項（抜粋）：
半導体結晶の平らな表面へ向けてその表面の近傍のみ透過するような前記半導体における吸収係数の大きい波長のレーザ光束を照射するレーザ照射手段と、このレーザ光束により前記表面近傍に存する結晶欠陥から生じる散乱光を受光し結像させるとともに半導体結晶表面を可視光で観察するための顕微鏡と、前記半導体結晶を前記顕微鏡の光軸にほぼ垂直な平面内で移動させる移動手段とを具備することを特徴とする結晶欠陥観察装置。
IPC (3件)：
G01N 21/88
, G01N 21/00
, G01N 21/47
