特許
J-GLOBAL ID：200903075890492466
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-333989
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168075
出願日： 1997年12月04日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザダイオードのように半導体基板の劈開性を利用して各素子を分割する工程を含む半導体装置の製造方法において、製造工程数を削減し、製品コストを低減する。【解決手段】 基板1の表面側に複数のレーザーダイオード素子をマトリクス状に配列させて形成し、各素子ごとに表面電極を形成する。その後、基板1の裏面側にチップ化スクライブライン3bを形成した後、裏面全体に裏面電極4bを形成する。次に、基板1の表面側に、アレイ化スクライブラインを形成する。次いで、アレイ化スクライブラインに沿って基板1を劈開してチップアレイとする。チップアレイの劈開面に高反射膜及び非反射膜を被着した後、スクライブライン3bに沿って基板1を劈開し、各レーザダイオード素子に分割する。
請求項（抜粋）：
劈開性を有する基板の第1の面側に、該基板を劈開する第1の方向及び該第1の方向に交差する第2の方向に沿って複数の半導体素子を形成する工程と、前記基板の前記第1の面に対し反対側の第2の面に、前記第1の方向に平行な複数の第1のスクライブラインを形成する工程と、前記基板の前記第2の面の全体に導電膜を被着する工程と、前記基板の前記第1の面に、前記第2の方向に平行な複数の第2のスクライブラインを形成する工程と、前記基板を前記第2のスクライブラインに沿って劈開し、チップアレイとする工程と、前記チップアレイを前記第1のスクライブラインに沿って劈開し、各素子毎に分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/78 U
, H01S 3/18
, H01L 21/78 L
, H01L 21/78 Q
