特許
J-GLOBAL ID：200903075891455912

集積型シリコン系薄膜光電変換装置とその製造方法

発明者：
岡本 圭史

岡本 圭史 について

, 
吉見 雅士

吉見 雅士 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000107
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195795
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 優れた光電変換特性を有し、高電圧で高出力を生じ得る集積型シリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 集積型シリコン系薄膜光電変換装置は、絶縁基板101上に順次積層された裏面電極層102、少なくとも1の結晶質シリコン系光電変換ユニット層105、透明導電性キャップ層111、および透明電極層108が複数の光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝104,109によって分離されていて、かつそれらの複数のセルは分離溝104,109に平行な複数の接続用溝107を介して互いに電気的に直列接続されている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に順次積層された裏面電極層、少なくとも1の結晶質シリコン系光電変換ユニット層、透明導電性キャップ層、および透明電極層が複数の光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルは前記分離溝に平行な複数の接続用溝を介して互いに電気的に直列接続されていることを特徴とする集積型シリコン系薄膜光電変換装置。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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