特許

J-GLOBAL ID：200903075895060319

半導体製造装置

発明者： 中村 源四郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084801
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251394
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 RIE方式を採用したドライエッチング装置において、GaAs系電子デバイスのバイアホール電極形成のためのドライエッチング等に要求される均一高速エッチング、かつ高スループットを実現する。【構成】 カソード電極5とアノード電極1との周囲に、グランド電位を有し円形状で、かつメッシュ状のプラズマ封じ込み用電極2を設けてプラズマを局所的に封じ込め、またカソード電極5に被処理ウエハ112を連続的にローディング/アンローディングするためのウエハ搬出入通路3を設け、さらに該通路3の途中に磁場/電場供給システム8を設ける。

請求項（抜粋）：

反応室内のカソード電極上に配置された被処理ウエハに、所定の反応ガスを供給してプラズマを発生させ、該プラズマにより上記被処理ウエハを処理する半導体製造装置において、上記カソード電極に対向して配置され、上記反応ガスを供給する機能を有するアノード電極と、上記カソード電極とアノード電極間周囲に配置され、メッシュ状で接地電位を有するプラズマ封じ込め用電極とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。