特許
J-GLOBAL ID：200903075895123507
マルチチップモジュール用配線回路基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145305
公開番号（公開出願番号）：特開平7-336015
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 マルチチップモジュールの配線回路基板の層間絶縁膜に、良好な平坦性とステップカバレージ性とを付与し、しかも低コスト且つ良好な作業性で成膜できるようにする。【構成】 耐熱絶縁性基板1、下層金属配線パターン2、層間絶縁膜3及び上層金属配線パターン4が順次積層されてなるマルチチップモジュール用配線回路基板の当該層間絶縁膜3として、下層金属配線パターン2上にシラノール含有液状組成物を塗布し、乾燥した後に焼成して得られるSiO2膜を使用する。
請求項（抜粋）：
耐熱絶縁性基板、下層金属配線パターン、層間絶縁膜及び上層金属配線パターンが順次積層されてなるマルチチップモジュール用配線回路基板の製造方法において、層間絶縁膜の成膜工程が、下層金属配線パターン上にシラノール含有液状組成物を塗布し、乾燥した後に焼成してSiO2膜を形成する工程からなることを特徴とする製造方法。
IPC (5件)：
H05K 3/00
, H01L 23/12
, H05K 1/03
, H01L 23/522
, H05K 3/46
H01L 23/12 Q
, H01L 23/52 B
