特許
J-GLOBAL ID：200903075907218088
受光素子の出力特性測定方法および測定装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189585
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036193
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ状態においても各素子の出力測定を行うことができる光電変換素子の出力特性測定方法および装置を提供する。【解決手段】 ウェハ載置台2にはシリコンウェハ5が載置され、シリコンウェハ5には多数のフォトダイオード6が形成されている。シリコンウェハ5の上方には光源3が配置され、光源3からシリコンウェハ5に対し光が発せられる。光源3とシリコンウェハ5との間に絞り板8が配置され、絞り板8の中央に小孔9が形成されている。光源3からの標準光が小孔9を通してシリコンウェハ5における測定対象のフォトダイオード6に照射され、プローブ4を用いて受光に伴いフォトダイオード6から発生する電流が測定される。
請求項（抜粋）：
光源からの標準光を、絞りを通して、多数の受光素子が形成されたウェハにおける測定対象の受光素子に照射し、この受光により発生する電流または電圧を測定するようにした受光素子の出力特性測定方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/66 X
, H01L 21/66 B
, H01L 31/10 Z
