特許

J-GLOBAL ID：200903075915902621

導電性薄膜の形成方法及びその装置、並びに半導体装置の製造方法

発明者： 山根 千種
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354933
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186196
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 CVD法に基づき金属塩化物ガスを原料ガスとして金属薄膜を成膜するに際し、この金属薄膜中の塩素原子の残留を抑制できる導電性薄膜の形成方法及びその製造装置、並びに半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 金属塩化物ガスからなる原料ガスを用い、CVD法に基づいて第1の金属薄膜4を形成する第1工程と、酸化作用を有するガス5を用いて第1の金属薄膜4を酸化処理する第2工程とを有する、導電性薄膜の形成方法及びその装置。並びに半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

ハロゲン原子含有ガスを用いて金属薄膜を形成する第1工程と、酸化作用を有するガスを用いて前記金属薄膜を酸化処理する第2工程とを有する、導電性薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/90 C