特許

J-GLOBAL ID：200903075916306348

酸化バナジウム薄膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサ

発明者： 和田 英男 ,  長嶋 満宏 ,  森 透 ,  小田 直樹
出願人/特許権者： 防衛庁技術研究本部長 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071983
公開番号（公開出願番号）：特開平9-257565
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 酸化バナジウムの中で二酸化バナジウム(VO<SB>2 </SB>)と同程度の比抵抗の温度変化率を有し,かつ氷点下温度から100°Cを超える温度範囲まで結晶構造の変化を伴う金属-半導体転移を起こさない酸化バナジウム薄膜と,この薄膜をボロメータ型赤外線センサ用材料として用いることによりクラックも剥離も起こさず,かつ100°C以上の高温まで使用できる赤外線センサを提供する。【解決手段】 スパッタ法又はゾルゲル法で作製し空気中で熱処理した五酸化バナジウム薄膜をアルゴン-水素混合ガスによって還元した酸化バナジウム薄膜において,該酸化バナジウムをVO<SB>x </SB>と表したときにxの範囲が1.875<x<2.0を満たす酸化バナジウム薄膜である。また,この薄膜は,典型的なVO<SB>2</SB>薄膜のように70°C付近に金属-半導体転移を持たない。この材料をボロメータ型赤外線センサ用材料として適用する。

請求項（抜粋）：

ボロメータ型赤外線センサに用いる酸化バナジウム薄膜において,前記酸化バナジウムをVO<SB>x </SB>と表したときにxの範囲が1.875<x<2.0を満たすことを特徴とする酸化バナジウム薄膜。

FI (2件)：

G01J 1/02 C ,  G01J 1/02 R