特許
J-GLOBAL ID:200903075917273206
実装用電極板付パワー素子デバイス、実装用電極板付IGBT、パワー素子モジュール、パワー素子ウェーハ、実装用電極板付パワー素子デバイスの製造方法、およびパワー素子モジュールの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-027755
公開番号(公開出願番号):特開2003-229527
出願日: 2002年02月05日
公開日(公表日): 2003年08月15日
要約:
【要約】【課題】 簡単な構造で、素子の破壊を防止し、より太いワイヤボンディング用ワイヤを使用でき、ワイヤボンディングの工程を簡素にする、パワー素子デバイスを提供することである。【解決手段】 パワー素子デバイスは、実装用電極板付IGBT53と、その内部に実装用電極板付IGBT53を収納する筐体からなる。実装用電極板付IGBT53は、IGBTチップ3の、複数に区分されたエミッタ電極セルの配置に対応して複数のハンダ層55が設けられ、そのハンダ層55の上に、一枚の実装用電極板57が位置決めされて設けられる。実装用電極板57は、ワイヤ59により筐体5のエミッタ電極取出部11に接続される。
請求項(抜粋):
チップの下面にコレクタ電極、上面にエミッタ電極と制御電極とを有するパワー素子チップを備えるパワー素子デバイスにおいて、エミッタ電極にハンダ層を介し、金属材料の実装用電極板を設けたことを特徴とする実装用電極板付パワー素子デバイス。
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