特許

J-GLOBAL ID：200903075920619440

プラズマエッチング電極の製造法

発明者： 石井 誠 ,  鎌田 充志
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076798
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265976
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：

【要約】【課題】 パーティクルの発生を抑え、シリコンウエハのプラズマエッチング加工時のプラズマエッチング不良を防止するためのプラズマエッチング電極の製造法を提供する。【解決手段】 平行平板型プラズマエッチング装置に用いられるガス吹き出し穴を有するプラズマエッチング電極を製造する方法において、ガス吹き出し穴を形成した後、ケミカルエッチングによってガス吹き出し穴内面をさらに4μm以上除去することを特徴とするプラズマエッチング電極の製造法。

請求項（抜粋）：

平行平板型プラズマエッチング装置に用いられるガス吹き出し穴を有するプラズマエッチング電極を製造する方法において、ガス吹き出し穴を形成した後、ケミカルエッチングによってガス吹き出し穴内面をさらに4μm以上除去することを特徴とするプラズマエッチング電極の製造法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/306 A