特許

J-GLOBAL ID：200903075923324793

量子細線の製造方法

発明者： 内 山 潔 ,  井 戸 田 健 ,  高 森 晃 ,  中 島 眞 人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077810
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283812
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 可視光半導体レーザ等に使用されるAlGaInP系の結晶において、GaAs基板上にこの系からなる量子細線をエッチングにより作製する。【構成】 GaAs(001)基板10上に、(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,y〜0.5)からなるウェル層12と、これよりも大きなエネルギーギャップを持つ(Al<SB>x'</SB>Ga<SB>1-x'</SB>)<SB>y'</SB>In<SB>1-y'</SB>P(0<x’≦1,y’〜0.5)からなる上下のバリア層11,13と、さらにその上にGa<SB>z </SB>In<SB>1-z</SB>P(z〜0.5)エピ層14を形成した単一または多重量子井戸構造を備え、初めにエピ層14の上にレジスト層15を形成し、これを露光現象除去処理してマスクを作り、次にエピ層14を<011>方向にストライプ状にエッチング除去した後、残ったエピ層14マスクとして硫酸または硫酸と水からなるエッチング液によってウェル層12およびバリア層11,13をストライプ状に除去する。

請求項（抜粋）：

GaAs(001)基板上に、(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y</SB>P(0<x≦1,y〜0.5)からなるウェル層と、前記ウェル層よりも大きなエネルギーギャップを持つ(Al<SB>x'</SB>Ga<SB>1-x'</SB>)<SB>y'</SB>In<SB>1-y'</SB>P(0<x’≦1,y’〜0.5)からなるバリア層とで構成され、さらにその上にGa<SB>z </SB>In<SB>1-z </SB>P(z〜0.5)エピタキシャル層を形成した単一量子井戸構造を備え、初めにGa<SB>z </SB>In<SB>1-z </SB>Pエピタキシャル層を<011>方向にストライプ状にエッチング除去した後、残ったGa<SB>z </SB>In<SB>1-z </SB>Pエピタキシャル層をマスクとして硫酸または硫酸と水からなるエッチング液によって前記ウェル層およびバリア層をストライプ状に除去することを含む量子細線の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06