特許

J-GLOBAL ID：200903075926489386

塩素イオン感応膜及びその製造方法並びに塩素イオンセンサ

発明者： 山下 浩太郎 ,  吉岡 範子 ,  柴田 康久 ,  小沢 理
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-300650
公開番号（公開出願番号）：特開2000-129010
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】イオン交換基の割合を容易に制御可能なイオン交換樹脂膜の製造方法及び塩素イオンセンサを提供すること。【解決手段】クロロメチルスチレンを第3級アミンと反応させる第1の工程と、第3級アミンが結合した前記クロロメチルスチレンとスチレン及びジビニルベンゼンの重合体を生成する第2の工程とを有することを特徴とする塩素イオン感応膜の製造方法により形成されるので、選択性のばらつきが減少し、高い信頼性を有する塩素イオン感応膜及び塩素イオンセンサが実現できる。

請求項（抜粋）：

芳香族重合体からなる塩素イオン感応膜であって、第4級アンモニウム塩基を有するスチレン誘導体モノマーの重合体を陰イオン交換体として用いることを特徴とする塩素イオン感応膜。

IPC (6件)：

C08J 5/22 106 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F212/36 ,  G01N 27/333 ,  G01N 27/416

FI (6件)：

C08J 5/22 106 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F212/36 ,  G01N 27/30 331 C ,  G01N 27/46 351 K

Fターム (17件)：

4F071AA04 ,  4F071AA22 ,  4F071AH19 ,  4F071FA01 ,  4F071FA10 ,  4F071FB02 ,  4F071FC01 ,  4F071FD02 ,  4F071FD04 ,  4J100AB07P ,  4J100AB08P ,  4J100AB16Q ,  4J100BA33H ,  4J100BA33P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA16