特許

J-GLOBAL ID：200903075927337393

半導体装置作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  高山 徹 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131414
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050255
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】 加熱アニールによる結晶成長の際の結晶成長方向を揃えることを目的とする。【構成】 基板101上の下地膜102上に設けられた珪素膜をSi+ の注入によって非晶質化し、加熱アニール工程において、結晶化を助長する触媒であるニッケルが導入された領域100から基板に平行な方向に結晶化をさせる。

請求項（抜粋）：

基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、該工程の前または後において、選択的に金属元素を導入する工程と、前記半導体膜に対して、不活性な元素のイオンを注入し、前記半導体膜、および前記基板、および前記基板と前記半導体膜との界面近傍を非晶質化する工程と、加熱を行い、前記半導体膜を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 311 Y