特許
J-GLOBAL ID：200903075937009971
半導体基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356404
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175226
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 GaAs基板上に薄膜を成長させる半導体基板のカーボン高添加層の格子定数と、これに接続する層の格子定数との不連続に起因する半導体特性の劣化を抑制する。【構成】 カーボンを1×1019cm-3以上添加したGaAsのカーボン高添加層に、Inを添加して該カーボン高添加層の格子定数と、該層に接続する層の格子定数との不整合を0.03%以下とする。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にGaAs、AlGaAsの薄膜を積層した構造を有する半導体基板において、該薄膜のうち少なくとも一層がCを1×1019cm-3以上添加したGaAs又はAlGaAsのカーボン高添加層が形成されている時、カーボン高添加層にInを添加してカーボン高添加層の格子定数と、該カーボン高添加層と接続する層の格子定数との不整合を0.03%以下とすることを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
