特許

J-GLOBAL ID：200903075937121879

半導体発光素子

発明者： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  常川 高志
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-012881
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135778
出願日： 2008年01月23日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】(a)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板1を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、C軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(b)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(c)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板の結晶成長面が凹凸面とされ、 AlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)からなる半導体結晶が、該凹凸面の凹部および凸部のそれぞれから成長した後、つながって、該凹凸面を覆っており、 該半導体結晶の上には、AlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)結晶からなる発光層が形成されており、 前記半導体結晶が、前記凹部上または凸部上の少なくともいずれかに、ファセット成長に伴って折曲された転位線を含んでいる、半導体発光素子。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/04 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/04 ,  H01L33/00 C

Fターム (39件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA01 ,  4K030CA17 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045EB15