メモリ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240419
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089568
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】不揮発性、大容量、高信頼性、低コストかつ高速のアクセスが可能なメモリ、その読出し方法および前記メモリの製法を提供する。【構成】薄膜磁性体の磁化の向きによって情報を記録するメモリ素子が、少なくとも磁歪を有する磁性薄膜と前記薄膜に弾性的に結合できる程度に近接した位置に配置された圧電体薄膜とから構成されている。また、メモリは薄膜磁性体の磁化の向きによって情報を記録するメモリ素子を複数個有し、該メモリ素子の一つの記録単位が少なくとも磁歪を有する磁性薄膜と圧電体薄膜で構成されており、前記メモリ素子が行列状に配置され、電気的に連結されている。

請求項（抜粋）：

薄膜磁性体の磁化の向きによって情報を記録するメモリ素子であって、少なくとも磁歪を有する磁性薄膜と前記薄膜に弾性的に結合できる程度に近接した位置に配された圧電体薄膜とから構成されていることを特徴とするメモリ素子。

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