特許
J-GLOBAL ID：200903075940094882
窒化ガリウム蛍光体の製造方法、酸化ガリウムの製造方法及び酸化ガリウム
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 教光 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373540
公開番号（公開出願番号）：特開2000-198978
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【目的】結晶性の良好なGaN蛍光体の製造方法を提供する。【構成】硝酸Ga水和物にアンモニアを滴下させてGa水酸化物を得た。この水酸化Gaを、800°Cにあらかじめ加熱しておいたオーブンに入れて一気に水分を除去する。スポンジ状で多孔性の酸化ガリウムが得られた。比表面積は従来の酸化ガリウムの2倍である。この多孔性の酸化Gaをアンモニア雰囲気中で1000°Cで2時間反応させ、粉末状のGaNを得た。従来品の酸化Gaを原料に用いて生成された従来のGaNは、黄土色の部分を含む黒灰色の着色が見られた、本例のGaNは黄土色であり、黒化している部分はなかった。本例のGaNのSEM像を図に示す。本例のGaNの形状は粒径0.5〜2μmに分布している球に近い形状である。X線回折の分析結果より、従来よりも結晶性が良いことが判明した。
請求項（抜粋）：
水酸化ガリウムを急加熱することにより多孔性の酸化ガリウムを製造し、次に前記酸化ガリウムをアンモニア中で加熱することによって窒化ガリウムを製造する窒化ガリウム蛍光体の製造方法。
IPC (4件)：
C09K 11/62 CQF
, C01B 21/06
, C01G 15/00
, C09K 11/08
C09K 11/62 CQF
, C01B 21/06 A
, C01G 15/00 D
, C09K 11/08 B
4H001CF01
, 4H001XA07
, 4H001XA31
