特許
J-GLOBAL ID：200903075941144816
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-181133
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270019
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】上部電極34および下部電極16との間にプラズマを生成してウエハWにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、上部電極34に、その表面に対する所定のスパッタ効果が得られる程度にその表面の自己バイアス電圧Vdcの絶対値が大きくなるように、または、印加電極におけるプラズマシースの厚さを拡大させ、前記印加電極の対向電極側に縮小されたプラズマが形成されるように、または、印加電極近傍で生成した電子を前記被処理基板上に照射させるように、または、プラズマポテンシャルが所望の値に制御されるように、または、プラズマ密度を上昇させるように、または、プラズマ密度の分布が所望のエッチングの均一性が得られる程度に均一になるように直流電圧を印加する直流電源50を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、
処理容器内に対向して配置される第1電極および第2電極と、
前記第1電極または第2電極にプラズマ形成用の高周波電力を供給する高周波電力供給ユニットと、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットと
を具備し、前記第1電極および第2電極との間に処理ガスのプラズマを生成して被処理基板の所定の層をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記第1電極または第2電極に直流電圧または交流電圧を印加する電源をさらに具備し、
印加電極の表面に対する所定のスパッタ効果が得られる程度にその表面の自己バイアス電圧Vdcの絶対値が大きくなるように、
または、印加電極におけるプラズマシースの厚さを拡大させ、前記印加電極の対向電極側に縮小されたプラズマが形成されるように、
または、印加電極近傍で生成した電子を前記被処理基板上に照射させるように、
または、プラズマポテンシャルが所望の値に制御されるように、
または、プラズマ密度を上昇させるように、
または、プラズマ密度の分布が所望のエッチングの均一性が得られる程度に均一になるように
前記電源からの印加電圧、印加電流および印加電力のいずれかを制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H05H 1/00
, H05H 1/46
H01L21/302 101B
, H05H1/00 A
, H05H1/46 M
5F004AA02
, 5F004AA05
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB22
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB03
