特許
J-GLOBAL ID：200903075943302222
磁気メモリの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085564
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274480
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 パターンが微細化してもメモリ層に記録された磁化状態が安定に存在し、かつ消費電力が小さい、複数の磁気メモリ素子からなる磁気メモリの製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも第1磁性層、非磁性層、記録層となる第2磁性層を積層した複数の磁気メモリ素子からなる磁気メモリの製造方法であって、少なくとも基板上に記録層となる第1磁性層、非磁性層、第2磁性層の積層膜を連続して形成し、積層膜を互いに分離された磁気メモリ素子の形状に加工し、基板上に形成された複数の磁気メモリ素子間の空間を充填する絶縁層を形成し、複数の磁気メモリ素子上及び磁気メモリ素子間の絶縁層上に導体層と第3磁性層を連続して形成し、第3磁性層を磁気メモリ素子と略同形状に加工し、導体層を隣接する磁気メモリ素子を1方向にのみ連結するように加工するものである。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1磁性層、非磁性層、記録層となる第2磁性層を積層した複数の磁気メモリ素子からなる磁気メモリの製造方法であって、基板上に少なくとも前記第1磁性層、前記非磁性層、前記第2磁性層の積層膜を基板側から順に連続して形成する工程と、前記積層膜を互いに分離された磁気メモリ素子の形状に加工する工程と、基板上に形成された複数の前記磁気メモリ素子間の空間を充填するように絶縁層を形成する工程と、前記複数の磁気メモリ素子上及び前記磁気メモリ素子間の絶縁層上に、導体層と第3磁性層を連続して形成する工程と、前記第3磁性層を前記磁気メモリ素子と略同形状に加工した後に、隣接する磁気メモリ素子を1方向にのみ連結するように前記導体層を加工する工程とからなることを特徴とする磁気メモリの製造方法
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/12
, H01L 43/08 Z
