特許

J-GLOBAL ID：200903075943510798

CVD装置およびこれを用いた成膜方法

発明者： 牛膓 哲雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148314
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017743
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 光学定数や膜厚の自己診断/調整機能を有するCVD装置を構成し、反射防止膜として用いられるSiON系薄膜を容易に精度良く成膜する。【構成】 平行平板型プラズマCVD装置の成膜室1に石英窓4,5を設け、分光器7からの測定光をモニタ用のウェハW上に成膜されたSiON系薄膜に入射させ、その反射光を検出器8へ取り込む。この検出結果にもとづいて解析器9で薄膜の光学定数(n,k)および膜厚dを算出し、コンピュータ10でこれら算出値と初期設定値との間の差異にもとづいて生成した制御信号をマス・フロー・コントローラ11(MFC)とRF電源6に転送し、N2 O流量と放電継続時間(成膜時間)を補正する。これら補正値を用いて実作業のSiON成膜を行う。【効果】 成膜条件決定作業を半導体デバイスの自動化製造ラインに組み込むことができる。

請求項（抜粋）：

壁面の一部に光入射窓と光出射窓とを備え、内部に保持された基板に対して所定の薄膜を成膜する成膜室と、前記基板上に前記光入射窓を通じて測定光を照射する光照射手段と、前記基板上で反射され前記光出射窓を通じて出射された反射光を検出する光検出手段と、前記反射光を解析し、前記基板上に成膜された前記薄膜の光学定数を算出する解析手段と、前記光学定数の算出値と初期設定値との間の差異にもとづいて前記成膜室に導入される原料ガス中の成分ガスの流量を変更する制御手段とを備えたCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318